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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제5호
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 211 - 214 (4page)
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Chemical and morphological changes of phenol formaldehyde-based photoresist after O2 radiofrequency (RF) plasma treatment depending on exposure time and source power were investigated. It was found that etch rate of photoresist sharply increased after discharge turn on and reached a limit with increase in plasma exposure time. Contact angle measurements and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed that the surface chemical structure become nearly constant after 15 sec of the treatment. Atomic force microprobe (AFM) measurements were shown that surface roughness was increased with plasma exposure time.
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/ / On the etching mechanism of ZrO2 thin films in inductively coupled BCl3/Ar plasma
/ 1964. / Attractive forces at interfaces 56 : 40 ~
/ 1969. / Estimation of the surface free energy of polymers 13 : 1741 ~
/ 1971. / A plasma oxidation process for removing photoresist films 14 : 47 ~
/ 1971. / Der Einfluss von sauerstoff auf lichtempfindlichkeit und bildqualitat des Photolacks KTFR 14 : 95 ~
/ 1964. / Attractive forces at interfaces 56 : 40 ~
/ 1969. / Estimation of the surface free energy of polymers 13 : 1741 ~
/ 1971. / A plasma oxidation process for removing photoresist films 14 : 47 ~
/ 1971. / Der Einfluss von sauerstoff auf lichtempfindlichkeit und bildqualitat des Photolacks KTFR 14 : 95 ~
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