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박형규 (한경대학교) 송창훈 (연세대학교 신소재공학과) 오훈정 (연세대학교 BIT 마이크로팹 연구센터) 백승재 (한경대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제5호
발행연도
2020.1
수록면
344 - 349 (6page)

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상압플라즈마 CVD 공정의 균일도 확보에 필수 요소인 매우 작은 가스 분출구의 매우 높은 밀도 구현인 다공성 금속 샤워헤드를 적용하여 상압플라즈마 CVD 공정의 균일 증착 제어 가능성을 확인하였다. 그리고 100 ℃ 의 공정 온도에서 10 nm/s 이상의 다결정실리콘 증착 공정이 가능함을 보이고, 증착 거동이 플라즈마 파워와 수소 분압을 통해 효과적으로 제어될 수 있음을 확인하였다. 미시적 거동은 선행연구에서 제시되었던 원자수소의 증착 활성화와 식각 활성화 효과의 상호 균형 모델로 이해할 수 있음을 고찰하였다. 다공성 금속 샤워헤드의 넓은 표면적 효과에 의해 샤워헤드와 독립적인 증착 거동의 관찰이 가능함을 증착 속도 거동과 선행연구 자료들을 종합하여 고찰하였다. 이것은 후속 연구를 통해 상압플라즈마 CVD 공정을 개발하는 데 있어 중요한 지침을 제공할 수 있을 것이다.

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