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한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 조명·전기설비학회논문지 제20권 제8호
발행연도
2006.9
수록면
6 - 14 (9page)

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본 논문은 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비 공정용 챔버(Chamber) 세정을 위한 새로운 플라즈마 세정방법에 적합한 플라즈마 발생방법과 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원장치의 전력회로에 관한 연구이다. 세정에 요구되는 고밀도 플라즈마는 안테나 형태의 기존 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식에 강자성체인 페라이트 코어를 적용하므로 써 1×10¹¹[EA/㎤]이상의 고밀도 플라즈마 발생을 가능하게 하였다. 플라즈마 발생을 위한 400[㎑] 고주파 전력 변환장치의 경우 범용 HB(Half Bridge) 인버터 방식을 적용하여 플라즈마 부하에서도 안정적인 영전압 스위칭 동작을 확인 하였다. 변압기 직렬결합 방식을 사용한 10[㎾] 고출력을 통해 A<SUB>r</SUB>과 NF₃ 가스 분위기하에서 플라즈마의 밀도와 NF₃ 가스 분해율을 측정하므로서 고주파 전력 변환 장치의 성능을 입증하였다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 모의실험 및 실험결과
4. 결론
References
저자소개

참고문헌 (4)

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