SiGe p-FinFET의 C-V 특성을 이용한 평균 계면 결함 밀도 추출과 Terman의 방법을 이용한 검증

김현수; 서영수; 신형철

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김현수 (서울대학교) 서영수 (서울대학교) 신형철 (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제52권 4호

발행연도: 2015.4

수록면: 56 - 61 (6page)

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고주파에서 이상적인 커패시턴스-전압 곡선과 결함이 존재하여 늘어진 커패시턴스-전압 곡선을 SiGe p-FinFET 시뮬레이션을 이용하여 보였다. 두 곡선이 게이트 전압 축으로 늘어진 전압 차이를 이용하여 평균적인 계면 결함 밀도를 구할 수 있었다. 또한 같은 특성을 이용하는 Terman의 방법으로 에너지에 따른 계면 결함 밀도를 추출하고, 동일한 에너지 구간에서 평균 값을 구하였다. 전압 차이로 구한 평균 계면 결함 밀도를 Terman의 방법으로 구한 평균값과 비교하여, 두 방법의 결과가 거의 비슷한 평균 계면 결함 밀도를 나타낸다는 것을 검증하였다.

#전압 차이 #계면 결함 밀도 #SiGe #Terman의 방법 #p-FinFET

참고문헌 (12)

참고문헌 신청

1. [학술대회논문] - Kyong Taek Lee / 2010 / A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement / 2010IEIE Sumer Conference : 597 ~ 598

3. [학술지(정기간행물)] - 백승혁 / 2004 / Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향 / 전자공학회논문지 - SD 41 (10) : 851 ~ 858

4. [학술지(정기간행물)] - Jakub Walczak / 2008 / Theoretical Study of Electron Mobility in Double-Gate Field Effect Transistors with Multilayer (strained-)Si/SiGe Channel / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 8 (3) : 264 ~ 275

5. [학술지(정기간행물)] - Y-J Song / 2002 / Effects of Si-cap layer thinning and Ge segregation on the characteristics of Si/SiGe/Si heterostructure pMOSFETs / Solid-State Electronics 46 : 1983 ~ 1989

6. [학술대회논문] - I. Ok / 2010 / Strained SiGe and Si FinFETs for High Performance Logic with SiGe/Si stack on SOI / IEEE IEDM : 776 ~ 779

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